简单的高压熔丝位恢复器

efan

回复 31# 2shouren


    好像不行哦，如果锁定位已编程，在改变熔丝前必须执行芯片擦除指令，没看到他执行芯片擦除指令，所以直接改熔丝位应该是不成功的。

hzdjm

DT-14上的T26可以直接修改熔丝位的

2shouren

回复 32# efan


    这是别人贴说的：
T26手册上说明的时续（进入编程模式）：
1、PAGEL/BS1=0;XA1/BS2=0;XA0=0;WR=0;RESET=0;VCC=0
2、VCC/AVCC=4.5~5.5V
3、等待至少60微秒
4、RESET=4.5~5.5V
5、等待至少20微秒
6、RETET=11.5~12.5V
7、等待至少10微秒
以上2-7步骤必须在64ms之内完成！
8、操作指令VCC=0或RESET=0V
9、退出编程模式

efan

回复 34# 2shouren


    不对吧？我看的手册上是这么写的：
通过下面的算法进入并行编程模式：
1. 在 VCC 及GND 之间提供4.5 - 5.5V 的电压，且至少等待100 μs。
2. 将RESET 拉低，并至少改变XTAL1 电平6 次
3. 将P102Table 52 中列出的的Prog_enable 引脚置为"0000"，并等待至少100 ns
4. 给RESET提供11.5 - 12.5V 的电压。在向RESET提供+12V 电压后的100 ns 内，
Prog_enable 引脚的任何行为都会导致芯片无法进入编程模式
注意，如果RESET 引脚由RSTDISBL 熔丝位编程禁用，它可能将无法按上面所提到的
算法进行。同样，当使用外部晶振或外部RC 结构时，也无法按上面的算法进行，因为无
法提供合格的XTAL1 脉冲。在这种情况下，按下面给出的算法进行计算：
1. 将P102Table 52 中列出的的Prog_enable 引脚置为"0000"
2. 在 VCC 及GND之间提供4.5 - 5.5V 的电压，同时给RESET 提供11.5 - 12.5V 的电
压。
3. 等待100 ns
4. 重新对熔丝位编程以保证选择外部时钟作为时钟源(CKSEL3:0 = 0b0000) 并且
RESET 引脚被激活(RSTDISBL 未编程)。若锁定位被编程，则在改变熔丝位前必
须执行芯片擦除命令。
5. 通过对芯片掉电或将RESET 引脚改为0b0 来退出编程模式。
6. 用上面给出的算法进入编程模式。

特别是那个“注意”，要求VCC提供电压时RESET同时提供编程电压。并且你说的“以上2-7步骤必须在64ms之内完成”与60+20+10矛盾。

搞不明白是程序写错了，还是我把T26焊下来的时候给烫坏了。

2shouren

回复  2shouren


    不对吧？我看的手册上是这么写的：
通过下面的算法进入并行编程模式：
1. 在 V ...
efan 发表于 2010-5-23 18:12 https://www.yleee.com.cn/images/common/back.gif

1ms=1000us  所以应该不矛盾的呀？

efan

回复 36# 2shouren


    没看单位，呵呵  下周末再按这个方法试试，再不行就放弃了

2shouren

回复 37# efan


    期待你成功，哈哈哈

jarte

学习一下，多谢分享

Zhi-Ming

不错，记号一下

zydl123

不错，记号一下